习题管理
| 标题 | 创建者 | 题目类型 | 当前发布状态 | 所属小组 | 编码 | 发布日期 | 操作 |
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| GaAs和AlAs的晶格常数分别是0.56532nm和0.56622nm，所以生长Ga1-x AlxAs用GaAs作衬底晶格匹配很好，失配位错很少。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 生长InGaN时SiC比蓝宝石晶格匹配更适合。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 单量子阱结构是对双异质结的改进，将有源层厚度从微米级降到纳米级。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 氧化铟锡（ITO）透明导电层具有电流均匀化和增透作用，可提高发光效率。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 光子晶体不能提高出光效率。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 白炽灯从15W到100W，发光效率都是15lm/W。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 不同的环境对照明光源的显色性要求是不一样的。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| LED光源的优点是既可将发光效率提高又可将显色指数做得很好。一般可达80左右，调整荧光粉的品种和数量可制得85甚至95以上。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| MOCVD是用金属有机物为原料，适宜于大规模生产半导体发光二极管的方法。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| MOCVD生长InGaAlP会应用AsH3和Ph3和产生P，要注意防护和妥善处理。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 气相外延和液相外延都能生长很薄的外延层（nm）。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 硅在镓铝砷中也有二性行为，高温900℃占镓或铝位，成施主，反则成受主。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 在MOCVD设备中气密性十分重要，漏气是造成生长材料氧沾物而使质量不高的主要因素。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 在GaAs上气相外延GaAs0.60P0.40时无须生长过渡层。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 为减少遮光而又能达到均匀传导电流，上电极面积一般控制在管芯总面积的10-15%。（对上、下电极结构而言） | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 表面粗化相对于平面管芯不能提高出光效率。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 微透镜技术相比于平面管芯可以提高出光效率。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 倒装芯片技术除了提高散热效率外，还可免除电极遮光，从而提高发光效率。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 硅衬底技术制成的芯片散热效果不如蓝宝石衬底的。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 新世纪新光源白光LED发光效率要求达到200 lm/W。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 |
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