习题管理
| 标题 | 创建者 | 题目类型 | 当前发布状态 | 所属小组 | 编码 | 发布日期 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 21世纪新光源三要求①高效节能②安全环保③理想白光 Ra 接近100 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 白炽灯从15W到150W光效都是15lm/W。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 气体放电灯光源（荧光灯、高压钠灯、金卤灯、汞灯）中都有汞。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 节能灯（紧凑型荧光灯）比管状荧光灯发光效率高。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 无极放电灯由于没有电极，所以寿命较长，可达一般荧光灯的几倍。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| LED光源启动响应时间短，适宜于集成电路控制制成智能光源。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 微波硫灯是唯一无汞的放电型白色光源。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 半导体发光材料目前主要是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 对晶体的分析研究表明，根据晶胞的6个参数（ ），可将晶体分为7个晶系。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| GaN氮化镓是闪锌矿晶体结构 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 晶体中电子的共有化运动，电子能级变为能带。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 晶体的带隙宽度不随温度上升而减少，所以波长也不向长波长方向移动。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 晶体中的带隙宽度不随温度上升而减小，所以LED的正向压降也不会减少。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 电子能量变换成热能的过程称为俄歇过程，是非辐射复合。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 表面复合影响发光效率，且无法使其改善。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 材料组分的改变引起带隙的变化，这种对带隙可以“裁剪”的方法称为“能带工程”或“能带裁剪工程”。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| GaAs和GaN是直接跃迁型的，GaAs1-xPx 和Ga1-x AlxAs的三元系在x值小时也是。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 激子中的不离不合的电子-空穴对不能复合。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| 俄歇（Auger）复合是辐射型复合。 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 | ||
| GaAs1-xPx 和Ga1-x AlxAs都是直接跃迁型能带结构 | yinzp | 判断题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | 2014-05-19 10:25 |
补传文件
