习题管理
标题 | 创建者 | 题目类型 | 当前发布状态 | 所属小组 | 编码 | 发布日期 | 操作 |
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三氯氢硅的提纯 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-025 | 2016-05-12 16:51 | |
控制直拉法生长的单晶硅的电阻率均匀性 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-026 | 2016-05-12 16:51 | |
硅的化学提纯 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-027 | 2016-05-12 16:51 | |
热交换法制备多晶硅 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-028 | 2016-05-12 16:51 | |
铸造多晶硅中的碳杂质的主要来源 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-029 | 2016-05-12 16:51 | |
半导体材料或器件的表征技术 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-009 | 2016-05-12 16:29 | |
CVD | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-010 | 2016-05-12 16:29 | |
直拉法生长单晶硅 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-011 | 2016-05-12 16:29 | |
精馏 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-012 | 2016-05-12 16:29 | |
三氯氢硅的化学方程式 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-013 | 2016-05-12 16:29 | |
改良西门子法 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-014 | 2016-05-12 16:29 | |
石英坩埚内壁涂覆 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-015 | 2016-05-12 16:29 | |
载流子复合中心 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-016 | 2016-05-12 16:29 | |
铸造多晶硅的方法 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-017 | 2016-05-12 16:29 | |
太阳能电池发电的原理 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-018 | 2016-05-12 16:29 | |
高纯度的多晶硅生长单晶硅的方法 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-019 | 2016-05-12 16:29 | |
Al掺杂调节GaAs禁带宽度 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-008 | 2016-05-12 16:23 | |
半导体材料或器件的电学表征技术 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-007 | 2016-05-12 16:21 | |
非晶态半导体的结构特征 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-006 | 2016-05-12 16:19 | |
半导体类型 | 15019464358 | 填空题 | 审核通过 | 半导体照明技术与应用 | LED-SZXX-BDTQJ-XT-1-005 | 2016-05-12 16:11 |